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MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656A0474J000,MKP高脉冲绕线电容

2.5元2022-03-25 00:03:49

公司名称：
北京友盛兴业科技有限公司
服务内容：
TDK突波吸收电容
关键词：
MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656S2104K564, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656S1104K564, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656A7684K000, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656J2224K000
服务范围：
呼和浩特新城
联系人：
杨勇刚
联系电话：
18910517242（北京）
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北京友盛兴业科技有限公司

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MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656A0474J000,MKP高脉冲绕线电容

薄膜电容的重要性

一些还没接触薄膜电容的新手可能对薄膜电容这四个字会感到陌生，也不知道薄膜电容存存在什么样的价值。但是对于电子设备和音响设备来说，薄膜电容是必不可缺少的一部分。目前像在远程通讯和自动控制系列上来说薄膜电容有着一定的使用价值。作为专业的薄膜电容厂家，我们除了跟得上社会发展外，还要学会迎合设备的发展需求。

21世纪中，电子设备市场无疑是一个香饽饽，即便是一个小小的零件产品，也能够在这个市场上发挥着关键性的作用，也会因为这个市场的发展，推动产品的发展和地位固定，薄膜电容就是其中代表之一。耐性好，电压稳定，也使得薄膜电容的应用市场广泛，遍布在我们的生活周围。薄膜电容的性价比上来说要更高一些，在优点上也要更多一些。随着社会的发展需求，渐渐的薄膜电容自然也就成为了众多领域场合中的中心点。

或许我们单方面看薄膜电容好像并不觉得有什么存在价值，但是看看薄膜电容的使用领域和场合，我们就知道这其中的价值了。我们专业生产安规电容，高压电容，压敏电阻，薄膜电容，更多优质的电容尽在JEC。以上资讯来自智旭电子公司研发部，更多资讯请大家移步至网站中获取。

TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜电容器

`EPCOS/TDK通用MKT堆叠/绕线薄膜电容器是符合AEC-Q200D标准的器件，具有高脉冲强度和高接触可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆叠/绕线薄膜电容器采用堆叠薄膜技术，引线间距为5mm至15mm。该电容器采用绕线电容器技术，引线间距为10mm至37.0mm。应用包括汽车用阻断耦合和去耦合、旁路连接以及射频干扰 (RFI) 保护。

特性：
高脉冲强度
高接触可靠性
电容范围：0.001~220uF
引线间距：5~37.5mm
电容容差：±5%，±10%，±20%

应用：
汽车RFI，耦合，去耦等

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。